▲ 8인치 웨이퍼로 제조된 LED 칩

브릿지룩스(www.bridgelux.com) 와 도시바 코퍼레이션(www.toshiba.com)은 올해 공동 협력 협정을 체결한 이후 불과 몇 개월 만에 업계 최고 수준의 8인치 *GaN-on-Silicon LED 칩을 구현하는데 성공했다고 발표했다.

이 LED 칩은 1.1mm² 크기로 614mA, 350mA에서 3.1V 미만의 우수한 성능을 제공한다. 브릿지룩스와 도시바는 전세계 LCD 패널과 조명 시스템으로 인해 수요 증가를 보이고 있는 LED 칩에 대한 양사의 개발 노력을 더욱 가속화 해나갈 예정이다

도시바는 또한 SSL(Solid State Lighting) 영역에서 양사가 공동으로 혁신적 기술을 확보할 수 있도록 브릿지룩스에 지분을 투자하였다. 이번 투자는 도시바의 앞선 반도체 공정 및 제조 기술 개발 역량을 기반으로 브릿지룩스의 GaN-on-Silicon LED 칩 기술 개발 역량을 더욱 북돋는다는 관점에서 SSL 업계에서의 양사의 노력을 더욱 증진시킬 것으로 기대된다.

브릿지룩스의 빌 왓킨스(Bill Watkins) CEO는 “도시바와 브릿지룩스는 이미 기술 개발을 위해 협력하고 있으며, 지분투자는 양사가 일반 조명 시장을 겨냥해 SSL 솔루션의 비용을 낮추겠다는 공동의 목표를 달성할 수 있도록 전략적 관계에 한걸음 더 다가서게 할 것”이라고 말했다.

도시바의 본사 부사장이자 반도체 및 스토리지 제품 회사(Semiconductor and Storage Products Company )의 수석 부사장인 마코토 히데시마(Makoto Hideshima) 는 “브릿지룩스와의 공동 개발을 통해 업계 최고의 8인치 GaN-on-Silicon LED 성능을 얻게 되어 기쁘다. 양사는 기술 상용화를 겨냥하여 선진 기술 개발을 지속적으로 추구해나갈 것이다”라고 말했다.
 

GaN-on-Silicon 기술이란?
LED는 보통 사파이어 또는 탄화규소(silicon carbide) 기판을 출발 재료(starting material)로 사용하는데, 이들은 실리콘에 비해 가격이 비싸다. 이로 인한 높은 생산 비용은 가정 및 상업용 빌딩에서의 LED 조명 보급 확대에 걸림돌이 되고 있다. 그러나 저렴한 대형 실리콘 웨이퍼 상에서 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 기술을 이용하면 최신 반도체 제조에도 적용이 가능할 뿐만 아니라 현재 이용되고 있는 방식보다 비용 측면에서 75% 가량 개선이 가능하다.